Груб силициев карбид

Силициев карбид 100 грит Описание

Третото-поколение полупроводникови високо{1}}мощни силови електронни устройства, представено от SiC, е едно от най-бързо развиващите се силови полупроводникови устройства в областта на силовата електроника.

 

Силициевият карбид като типичен представител на третото поколение полупроводникови материали, но също така и най-зрялата технология за производство на кристали и ниво на производство на устройства, един от най-широко използваните полупроводникови материали с широка честотна лента, формира глобална индустрия за материали, устройства и приложения верига. Това е идеален полупроводников материал за приложения с висока-температура, висока-честота, устойчивост на-радиация и висока{4}}мощност.

 

 

 

 

Спецификация на продуктите от силициев карбид

Доставчици на продукти от силициев карбид-ZhenAn International

 

 

ТИПИЧЕН ХИМИЧЕН АНАЛИЗ
SiC	99.05%
SiO2	0.20%
F, Si	0.03%
Fe2O3	0.10%
F.C	0.04%
ТИПИЧНИ ФИЗИЧНИ СВОЙСТВА
Твърдост:	Моос: 9,5
Точка на топене:	Сублимира при 2600 градуса
Максимална работна температура:	1900 градуса
Специфично тегло:	3,2g/cm³
Насипна плътност (LPD):	1,2-1,6 g/cm3
цвят:	зелено
Форма на частиците:	Шестоъгълна

 

Производител на силициев карбид 100 Grit-ZhenAn International

 

SiC Доставчик на прах-ZhenAn

 

Механични свойства:висока твърдост (твърдост на Kjeldahl от 3000 kg/mm²), може да реже рубин; висока устойчивост на износване, на второ място след диаманта.

 

Топлинни свойства:топлопроводимостта надвишава тази на металната мед, 3 пъти тази на Si и 8 до 10 пъти тази на GaAs, добро разсейване на топлината, много важно за устройства с висока мощност.

 

Химични свойства:устойчивостта на корозия е много силна, при стайна температура може да устои на почти всички известни корозивни агенти. Лесното окисление на повърхността на SiC за генериране на тънък слой от SiO2 може да предотврати по-нататъшното му окисляване при по-висока от 1700 градуса, този слой от оксиден филм се топи и бърза реакция на окисление. SiC може да се разтвори в разтопен окислителен агент.

 

Електрически свойства:4H-SiC и 6H-SiC забранената лента е около 3 пъти по-голяма от тази на Si, 2 пъти по-голяма от тази на GaAs; неговата напрегнатост на електрическото поле на пробив е с един порядък по-висока от тази на Si, а скоростта на дрейф на електрони на насищане е 2,5 пъти по-голяма от тази на Si. 4H-SiC има по-широка забранена зона от 6H-SiC.

 

36 зърненост силициев карбид Снимки от посещения на клиенти

 

ЧЗВ

 

 

В: Цената подлежи ли на договаряне?

О: Да, моля, не се колебайте да се свържете с нас по всяко време, ако имате въпроси. А за клиентите, които искат да разширят пазара, ние ще направим всичко възможно да ги подкрепим.

В: Можете ли да предоставите безплатни мостри?

О: Да, можем да предоставим безплатни проби на клиентите, за да проверят качеството или да направят химически анализи, но моля, кажете ни подробните изисквания, за да подготвим правилните проби.

В: Кога можете да доставите стоките?

A: Обикновено можем да доставим стоките в рамките на 15-20 дни след като получим авансовото плащане или оригиналния акредитив.

Въпрос: Можете ли да предоставите тестов доклад, издаден от SGS или друга инспекция-на трета страна?

О: Да, можем, ако клиентите поискат отчети от тестове-на трети страни.

Искрено се надяваме да бъдем ваш партньор, приветстваме нови и стари клиенти да посетят ръководството, както и различни форми на разговори за търговско сътрудничество!

Популярни тагове: груб силициев карбид, Китай груб силициев карбид производители, доставчици, фабрика, 36 доставчици на Grit Silicon Carbide, Доставчици на черен sic прах, Черна частица от силициев карбид, Карборунд зърно, Груб силициев карбид песъчинка, Зелен карборунд