Средства от силициев карбид
video

Средства от силициев карбид

Средствата от силициев карбид в полупроводника в основната форма на съществуване е като субстратен материал, въз основа на неговите отлични характеристики, ограничението за използване на субстрат от силициев карбид е по-добро от силициевия субстрат.
Изпрати запитване
представяне на продукта

100 силициев карбид Описание

Силициевият карбид в полупроводника в съществуването на основната форма е като субстратен материал, въз основа на неговите отлични характеристики, използването на ограничение на производителността на субстрата от силициев карбид е по-добро от силициевия субстрат, субстратът от силициев карбид може да посрещне висока температура, високо налягане , висока честота, висока мощност и други условия на нуждите на приложението, настоящият субстрат от силициев карбид е приложен към радиочестотни устройства и захранващи устройства.

 

Ако се интересувате от нашите продукти, свържете се с нас сега! Ние можем да персонализираме нашите продукти според изискванията на клиента!

 

 

 

Спецификация на силициевия карбид със зърненост 120

Доставчици на силициев карбид със зърненост 120-ZhenAn International

 

Вещ СиЦ F.C Fe2O3 Влага
SiC 86 86% мин 2,4% макс 2.0% макс 0.2% макс
SiC 88 88% мин 2,3% макс 2.0% макс 0.2% макс
СиЦ90 90% мин 2.0% макс 1,8% макс 0.2% макс
СиЦ92 92% мин 1,8% макс 1,7% макс 0.2% макс
SiC93 93% мин 1,8% макс 1,6% макс 0.2% макс
SiC 95 95% мин 1.0% макс 1,3% макс 0.2% макс
СиЦ97 97% мин 0.8% макс 1,2% макс 0.2% макс
СиЦ97.5 97,5% мин 0.8% макс 0.9% макс 0.2% макс
SiC98 98% мин 0.5% макс 0.5% макс 0.2% макс

 

Силициев карбид със зърненост 1200 Професионален доставчик-ZhenAn

1200 Grit Silicon Carbide Professional supplier-ZhenAn

 

Производител на силициев карбид със зърненост 180 - ZhenAn International

180 Grit Silicon Carbide manufacturer-ZhenAn International

Предимствата на устройствата със силициев карбид са следните:

(1)устойчивост на високо напрежение.Силата на пробивното електрическо поле е голяма, 10 пъти по-голяма от тази на силиция, като устройствата от силициев карбид могат да бъдат подготвени да подобрят значително капацитета за издържане на напрежение, работната честота и плътността на тока и значително да намалят загубата на проводимост на устройството. Така че в действителния процес на прилагане, в сравнение със силиконовата основа може да бъде проектирана в по-малък обем, около 1/10 от базираните на силиций устройства.


(2)Устойчивост на висока температура.Полупроводниковите устройства при по-високи температури ще предизвикат вътрешно възбуждане на носителите, което ще доведе до повреда на устройството. Колкото по-голяма е ширината на забранената лента, толкова по-висока е граничната работна температура на устройството. Забранената зона на силициевия карбид е близо три пъти по-голяма от тази на силиция, което гарантира надеждността на устройствата със силициев карбид, работещи при високи температури. Ограничителната работна температура на силициевите устройства обикновено не може да надвишава 300 градуса, докато граничната работна температура на устройствата със силициев карбид може да достигне повече от 600 градуса. В същото време топлопроводимостта на силициевия карбид е по-висока от силиция, високата топлопроводимост спомага за разсейването на топлината на устройството от силициев карбид, при същата изходна мощност за поддържане на по-ниска температура, устройството от силициев карбид също е по-малко взискателно към дизайна на топлината разсейване, което спомага за постигане на миниатюризация на устройството.


(3) Постигане на високочестотна производителност Скоростта на дрейф на електроните при насищане със силициев карбид е голяма, два пъти по-висока от тази на силиция, което определя устройството със силициев карбид да може да постигне по-висока работна честота и по-висока плътност на мощността. В същото време загубата на енергия на субстрата от силициев карбид е по-малка. При същото напрежение и честота на преобразуване, при 400 V, загубата на енергия на силициевия карбид MOSFET инвертор е около 29%-60% от загубата на енергия на базирания на силиций IGBT; при 800V, загубата на енергия на силициевия карбид MOSFET инвертор е около 30%-50% от загубата на енергия на базирания на силиций IGBT. Така загубата на енергия на устройствата със силициев карбид е много по-малка.

 

Прах от силициев карбид със зърненост 180 Снимки от посещения на клиенти

180 Grit Silicon Carbide Powder Customer visit photos

 

 

 

 

ЧЗВ

 

 

В: Вие сте производител?

О: Да, ние сме производител, разположен в град Анянг, провинция Хенан. Като професионален доставчик на металургични суровини, ние винаги поставяме качеството на продукта на първо място. Ние използваме най-модерното оборудване и технология от контрола на суровините, производствения процес и системата за контрол на качеството, за да гарантираме, че нашите продукти отговарят на индустриалните стандарти и отговарят на нуждите на клиентите.

 

Въпрос: Какви условия на плащане приемате?

О: За малка поръчка можете да платите чрез T/T, Western Union или Paypal, нормална поръчка чрез T/T или LC към нашата фирмена сметка

 

Въпрос: Как мога да получа проба от силициево-карбидна медия?

О: Предлагат се безплатни мостри, но таксите за превоз ще бъдат във вашата сметка и таксите ще ви бъдат върнати или приспаднати от вашата поръчка в бъдеще.

 

В: Как да потвърдите качеството на продукта, преди да направите поръчки?

О: Можете да получите безплатни мостри за някои продукти, трябва само да заплатите разходите за доставка или да уредите куриер до нас и да вземете пробите. Можете да ни изпратите вашите продуктови спецификации и заявки, ние ще произведем продуктите според вашите заявки.

Популярни тагове: носители от силициев карбид, Китай производители, доставчици, фабрики за носители от силициев карбид, 1200 Grit силициев карбид, 80 120 Grit Carborundum гранула, Карборунд на прах, Силициев карбид 80 песъчинка, силициев карбид на прах 600 песъчинка, Твърда sic

Изпрати запитване

Начало

Телефон

Имейл

Запитване